所有欧姆龙产品

网格

列表

欧姆龙
直流输入晶体管输出模块
C200H-MD115

输入点数：6点。输入电压：DC2V。输入电流：4.mA。

欧姆龙
直流输入晶体管输出模块
C200H-MD215

输入点数：6点。输入电压：DC24V。输入电流：4.mA。

欧姆龙
TTL输入输出模块
C200H-MD501

输入点数：6点。输入电压：DC5V。输入电流：约3.5mA 。

欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME431

UM：3K字； DM：K字。要将程序写入EPROM，请使用标准PROM写入器。在EPROM存储器盒装入CPU之前，先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。

欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME831

UM：7K字； DM：K字。要将程序写入EPROM，请使用标准PROM写入器。在EPROM存储器盒装入CPU之前，先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。

欧姆龙
EPROM内存卡
C200H-MP831

UM：7K字； DM：K字。要将程序写入EPROM，请使用标准PROM写入器。在EPROM存储器盒装入CPU之前，先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。

欧姆龙
CMO-RAM内存卡
C200H-MR431

cmos-ram单元：内置备用电池。 UM：3K字； DM：K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
CMO-RAM内存卡
C200H-MR432

cmos-ram单元：电容器备份。 UM：3K字； DM：K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
CMO-RAM内存卡
C200H-MR831

cmos-ram单元：内置备用电池。 UM：7K字； DM：K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
CMO-RAM内存卡
C200H-MR832

cmos-ram单元：电容器备份。 UM：7K字； DM：K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
定位模块
C200H-NC111

控制轴数：轴单元。位置精据容量：20轴。位置控制单元检出位置可由高度精度定位得以实现。

欧姆龙
定位模块
C200H-NC112

控制轴数：轴单元。位置精据容量：20轴。使用自动梯形或曲线加速或减速进行定位。

共 174 页页码： [第一页] << 上一页 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 下一页 >> [最后一页]